安费诺连接器产品手册
ICeGaN 功率 IC 集成了米勒箝位以消除高速开关过程中的击穿损耗,并实现了0V关断从而限度地减少反向导通损耗,其性能优于分立 eMode GaN 和其他现有技术。新的封装提供了低至0.28 K/W的改进的热阻性能,与市场上任何其他产品比较具有相当或更加优异的性能。 安费诺连接器产品手册 59177系列的主要优势之一,是能够在不消耗任何功率的情况下运行,因此非常适合低功耗应用。 该功能可以节省能源,并提高电池供电设备的整体效率。 此外,开关的包覆成型设计确保了出色的抗机械冲击和抗振动性能,为设计人员提供了更大的灵活性,以满足具有机械挑战性的应用需求。 144系列比水银舌簧继电器更加环 阅读更多…