te端子官网

此次应用也是开步电子在车规级产品开发进程中的重要里程碑，显著提升了新能源汽车电流传感器的精度、稳定性和安全性能。本次合作将为双方带来更多市场机会，进一步推动新能源汽车产业的发展和升级。
te端子官网　　LEXI-R10系列小型LTE Cat 1bis模块为全球通信发展提供支持。全新SARA-R10系列可用于从传统2G/3G设计轻松迁移到新网络，并推出了具有全面室内/室外追踪功能的型号。
　　此传感器专为汽车和工业应用场景而设计，可在 -40℃ 至 160℃ 的环境温度范围内工作，具体取决于电源电压范围。此传感器十分紧凑且用途广泛，并提供十六针 SSOP16 SMD 包装。

标准现成 SRAM IP 已针对面积或速度进行了优化，但并未针对功耗进行优化。我们的技术非常节能，因此产生的热量较少，使其成为下一代人工智能芯片的理想解决方案。这包括从边缘设备到车载应用程序，甚至到数据中心的所有内容，所有这些都必须限度地减少热开销。随着产品越来越依赖边缘人工智能而不是基于云的解决方案，这一点将变得越来越重要。
　　此外，Nexperia的“薄型SiC”技术提供了更薄的衬底（为其原始厚度的三分之一），大大降低了从结到背面金属的热阻。由此带来了诸多好处，包括工作温度更低、可靠性更高、设备寿命更长、抗浪涌电流的能力更强、正向压降更低。
te端子官网推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块—VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
　　SemiQ表示，这些新开发的1,700V SiC二极管在功率效率和可靠性方面取得了重大进步。QSiC?二极管的设计紧凑且灵活，运行损耗低，热管理出色，为客户开发先进且高性能的解决方案提供了有力支持。所有组件均经过严格的电压测试和雪崩测试，确保了其卓越的性能和可靠性。
　　Pasternack 1.0 mm 无源同轴组件均是现货库存且品类齐全，并且这些器件采用坚固的机械设计，确保了的信号相互作用，同时提供低插入损耗和优异的回波损耗特性。

额定电压45V、输出电流500mA的侧*1LDO稳压器*2（以下简称LDO）“BD9xxM5-C”（BD933M5EFJ-C、BD950M5EFJ-C、BD900M5EFJ-C、BD933M5WEFJ-C、BD950M5WEFJ-C、BD900M5WEFJ-C），非常适用于由车载电池驱动的车载电子产品和ECU（电子控制单元）等的电源。
te端子官网HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一里程碑式进展持续保持行业领先地位，并且凭借 HBM3E 的超凡性能和能效为人工智能（AI）解决方案赋能。
　　经过预集成及验证，Dubhe-70能极大简化SoC开发工作。Dubhe-70可提供具备内存一致性的Cluster内单核、双核或四核的配置选择，具有高度可扩展性。在配套软件方面，赛昉科技能为客户提供裸机SDK、Linux SDK、独立且预编译的IDE等。
　　第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来功率密度
　　纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。